根据8086存储器读写时序图，回答如下问题：
(1)地址信号在哪段时间内有效?
(2)读操作与写操作的区别是什么?
(3)存储器读写时序同I／O读写时序的区别是什么?
(4)什么情况下需要插入等待周期Tw?
(1)在T周期，双重总线AD0～AD15，AD16／S3-AD19／S6上输出要访问的内存单 元的地址信号A0～A19。 (2)读操作与写操作的主要区别为： ①DT／R控制信号在读周期中为低电平，在写周期中为高电平。 ②在读周期中而控制信号在T2～T4周期为低电平(有效电平)；在写周期中
根据8086存储器读写时序图，回答如下问题：
(1)地址信号在哪段时间内有效?
(2)读操作与写操作的区别是什么?
(3)存储器读写时序同I／O读写时序的区别是什么?
(4)什么情况下需要插入等待周期Tw?
(1)在T周期，双重总线AD0～AD15，AD16／S3-AD19／S6上输出要访问的内存单 元的地址信号A0～A19。 (2)读操作与写操作的主要区别为： ①DT／R控制信号在读周期中为低电平，在写周期中为高电平。 ②在读周期中而控制信号在T2～T4周期为低电平(有效电平)；在写周期中
