简述PN结的形成过程。
在一块本征半导体的晶体切片的两侧分别掺入不同的杂质,形成P型半导体和N型半导体两个区域,由于两个区域交界面附近将会存在电子和空穴的浓度差,就会产生扩散运动,此时N区的自由电子会越过交界面向P区扩散,填补P区的空穴,使N区失掉自由电子产生正离子,而P区得到自由电子产生负离子。随着载流子运动的进行,在P区和N区的交界面两侧分别留下不能移动的正负离子,呈现出一个空间电荷区,称为PN结。
简述PN结的形成过程。
在一块本征半导体的晶体切片的两侧分别掺入不同的杂质,形成P型半导体和N型半导体两个区域,由于两个区域交界面附近将会存在电子和空穴的浓度差,就会产生扩散运动,此时N区的自由电子会越过交界面向P区扩散,填补P区的空穴,使N区失掉自由电子产生正离子,而P区得到自由电子产生负离子。随着载流子运动的进行,在P区和N区的交界面两侧分别留下不能移动的正负离子,呈现出一个空间电荷区,称为PN结。