用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、CX引线接试品、XD端条件下,其测得值主要反映的是( )的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地; B.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间; C.铁芯支架; D.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间。正确答案D
用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、CX引线接试品、XD端条件下,其测得值主要反映的是( )的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地; B.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间; C.铁芯支架; D.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间。正确答案D