半导体存储器如何分类?
从半导体存储器工作特点、作用和制作工艺的角度可分类如下： (1)随机存取存储器RAM 这是一种使用过程中利用程序随时可写入信息，又可随时读出信息的存储器。对存储器中任一存储单元进行读写操作所需时间基本相同，关机后信息消失。可分为双极型和MOS器件两种，前者读／写速度高，功耗不大，集成度低，所以微型计算机中几乎都用后者。可以分为三类： (a)静态RAM：称为SRAM，其存储电路以双稳态触发器为基础，状态稳定，只要不掉电信息不会丢失，不需要刷新。但是集成度低。适于不需要大存储容量的微型计算机，如单片机、单板机中。 (b)动态RAM：称为DRAM，其存储单元以电容为基础，电路简单，集成度高。但是电容中的电荷因漏电会逐渐丢失，因此DRAM需要刷新。它适于大存储容量的计算机。 (c)非易失RAM：或掉电自保护RAM，即NVRAM，这种RAM是由SRAM和E2 PROM共同构成的存储器，正常运行时和SR AM一样，在掉电或电源有故障的瞬间，它把SRAM的信息保存在E2 PROM中，因而信息不会丢失，NVRAM多用于存储非常重要的信息和掉电保护。 (2)只读存储器 只读存储器在使用过程中，只能读出存储的信息而不能用一般的方法将信息写入。其种类可分为： (a)掩膜ROM：利用掩膜工艺制造，一旦制好，不能更改，因此只适合于成熟的固定程序和数据，大量生产时，成本低。 (b)可编程ROM：简称PROMo由厂家生产出的PROM中的程序和数据是由用户自行写入的，但一经写入，无法更改，是一次性写入的ROM。 (c)可擦除的PROM：简称EPROM。可由用户自行写入程序和数据，写入后的内容用紫外线照射20分钟即可擦除，然后可重新写入新的内容。EPROM可多次擦除多次改写。 (d)电擦除的PROM：即E2 PROM。采用电信号进行清除和改写存储器，使用方便但速度较慢，价格高。
